IPI50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPI50R140CPXKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | HIGH POWER_LEGACY |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 930µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3-1 |
Serie | OptiMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14A, 10V |
Verlustleistung (max) | 192W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2540 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPI50R |
IPI50R140CPXKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPI50R140CPXKSA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CHANNEL_100+
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2024/04/9
2024/05/17
2024/05/16
2024/04/10
IPI50R140CPXKSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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